根据设备的结构 , 静止无功补偿装置可分为下列几种型式 :
(l) 饱和电抗器型 (SF6) 。
(2) 可控硅控制电抗器型 (TCR) 。
(3) 可控硅控制电抗变压器型 (Tcr)。
(4) 可控硅投切电容器型 (TBC) 。
(5) 可控硅控制电抗器和可控硅投切电容器组合型 (SVS) 。
各类静止无功补偿装置的应用情况如下 :
(1) 饱和电抗器型补偿装置。具有几乎不需要什么维护的优越性 , 只是运行特性曲线的改善非常不灵活。然而 , 它具有吸收无功的过载能力 , 特别适合于控制瞬时过电压。
(2) 可控硅控制电抗器型装置。由六脉冲或十二脉冲可控硅控制的电抗器和固定式并联电容器组组成。这些电抗器分成单相电抗器组 , 并且可按消除谐波原理组成三相。其实 , 在控制低电压和过电压方面 , 后一种组合型式的适应性强且损耗低。所有可控硅控制型补偿装置 , 对运行特性曲线的改善都是很灵活的。
(3) 应用电抗变压器的可控硅补偿装置。这种特殊型式的装置有一定的缺点 : 其固定电容器组必须放在补偿装置的高压侧 ; 与应用固定电容器组的可控硅控制电抗器相比 , 这种补偿装置的损耗较大。
(4) 单独应用可控硅投切电容器组型补偿装置。可用在只需要电压支撑 , 而对伏安特性曲线的平滑要求不是主要的地方。这种特殊补偿装置的损耗也较小。